核心技术离子束辅助沉积和脉冲激光沉积技术
C276金属基带

用于超导带材的哈氏合金基带需满足苛刻的技术参数,需定制化开发金属压延、热处理、分切、抛光等工艺,

使基带厚度降至30-50微米,表面粗糙度降低至纳米级。


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公司与多家国内供应商合作开发高性能C276镍合金基带,已经成功应用,基带单根长度 > 1 km,

厚度30-50 µm可供选择,粗糙度 < 5 nm,基带表面经过机械抛光或电抛进行精细化处理。


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抛光处理后的基带AFM图

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